O carboneto de silício (SiC) é um material central de semicondutores compostos de terceira geração. Com propriedades físicas como alto campo elétrico de ruptura, alta condutividade térmica e amplo bandgap, ele rompe o teto de desempenho dos dispositivos de energia tradicionais baseados em silício e é um componente central para cenários de alta tensão e alta potência, como novos veículos de energia, fontes de alimentação de computação de IA, armazenamento de energia fotovoltaica e trânsito ferroviário. Em 2025, a indústria registou um excesso de capacidade e uma profunda compensação através de guerras de preços. A partir do quarto trimestre de 2025, a indústria inaugura um ponto de inflexão estrutural. Substratos e dispositivos de alta qualidade de nível automotivo e de potência de IA entram em um ciclo de escassez, enquanto o fornecimento de produtos de uso geral de baixo custo permanece vago, mostrando uma diferenciação estrutural óbvia na indústria. O mercado global mantém uma elevada taxa composta de crescimento a longo prazo, com novos veículos energéticos como base fundamental e a infraestrutura de computação de IA a tornar-se a segunda curva de crescimento. A cadeia industrial nacional alcançou grandes avanços no segmento de substratos, liderando globalmente em participação de mercado de substratos de 8 polegadas, enquanto os segmentos de epitaxia, dispositivos e módulos continuam a avançar na substituição doméstica. No entanto, a certificação de nível automóvel, o rendimento, o custo e as barreiras de patentes continuam a ser deficiências fundamentais.
I. Visão geral da indústria: princípios básicos de carboneto de silício (SiC) e estrutura da cadeia industrial
1.1 Propriedades do material e valor de aplicação do carboneto de silício
O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor composto composto de silício e carbono, pertencente aos semicondutores de banda larga de terceira geração. Comparado com os materiais tradicionais de silício (Si), ele tem três vantagens principais: a intensidade do campo elétrico de ruptura é aproximadamente 3 vezes maior que a do silício, suportando níveis de tensão mais elevados; a condutividade térmica é aproximadamente 3 vezes maior que a do silício, melhorando significativamente a capacidade de dissipação de calor; e as perdas de comutação são menores com resistência mais forte a altas temperaturas. Em cenários de conversão de energia de alta tensão e alta potência, os dispositivos de energia SiC podem reduzir as perdas do sistema, diminuir a dissipação e o volume de calor e melhorar a eficiência da conversão de energia, tornando-os o material subjacente para a transição energética e a infraestrutura de computação.
Os IGBTs (transistores bipolares de porta isolada) tradicionais à base de silício apresentam deficiências proeminentes nas perdas e na dissipação de calor em plataformas de alta tensão de 800 V e acima, enquanto os MOSFETs de SiC (transistores de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico de carboneto de silício) são naturalmente adequados para plataformas de alta tensão de 800 V, tornando-se assim a principal escolha para novas plataformas de alta tensão de veículos de energia. Além de dispositivos de energia, o SiC também pode ser usado em direções emergentes, como dispositivos de RF e substratos de dissipação de calor de embalagens avançadas, abrindo maior espaço de mercado.
1.2 Estrutura da Cadeia Industrial
A cadeia industrial do SiC está dividida em três grandes segmentos: substratos upstream e epitaxia; fabricação de chips intermediários, dispositivos e módulos de energia; e aplicações a jusante. Os substratos são o segmento com maior valor e barreiras técnicas mais fortes em toda a cadeia industrial, representando aproximadamente 47% do custo total dos dispositivos, e são o foco principal da competição da indústria.
1. Upstream: Substratos + Epitaxia
Substratos de SiC: divididos em tipo condutivo (dispositivos de energia, novos veículos de energia, armazenamento de energia, fontes de alimentação de IA) e tipo semi-isolante (dispositivos de RF). O tamanho principal é de 6 polegadas, a indústria está avançando para 8 polegadas e 12 polegadas entrou no estágio de verificação de amostra. Tamanhos maiores são o caminho principal para a redução de custos. A área dos substratos de 8 polegadas é 78% maior que a dos substratos de 6 polegadas, o número de cortes por wafer aumenta aproximadamente 1,8 a 2 vezes, a perda de borda é reduzida e o custo por wafer diminui aproximadamente 35%. As principais dificuldades na preparação do substrato residem no rendimento do crescimento do cristal, no controle de defeitos e na escala de tamanho. Fornos de crescimento de cristal, equipamentos de corte, retificação e polimento são despesas de capital essenciais.
Wafers epitaxiais: As camadas epitaxiais são cultivadas em substratos através de equipamento MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). O desempenho do dispositivo é determinado pela qualidade da camada epitaxial, e este é um elo fundamental que conecta substratos e fabricação de chips.
2. Midstream: fabricação de chips, dispositivos, módulos de potência
Em wafers epitaxiais de SiC, processos semicondutores como litografia, gravação e implantação iônica são concluídos para preparar chips como MOSFETs e SBDs (diodos de barreira Schottky); estes são então embalados em módulos de potência e fornecidos diretamente aos fabricantes finais. As empresas estrangeiras de IDM (fabricante de dispositivos integrados) (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) cobrem principalmente toda a cadeia, do substrato à epitaxia, dos dispositivos aos módulos; as empresas nacionais adotam com mais frequência um modelo de divisão de trabalho, com empresas de substratos, fábricas de epitaxia e empresas de design e embalagem de dispositivos desenvolvendo-se de forma independente, enquanto algumas empresas se estendem para cima, para a produção a montante.
3. Aplicativos downstream
Os novos veículos de energia são a via principal (inversor principal, OBC integrado, DC-DC, pilhas de carregamento integrado); seguidos por inversores fotovoltaicos, conversores de armazenamento de energia, fontes de alimentação industriais, fontes de alimentação de alta tensão para servidores de IA, transporte ferroviário, redes de alta tensão e infraestrutura de carregamento rápido; a direção da fronteira é o empacotamento avançado de substratos de dissipação de calor para chips de computação de IA.
II. Status da indústria global e doméstica de SiC
2.1 Tamanho do mercado e visão geral do crescimento
O mercado global de dispositivos de energia SiC continua a crescer rapidamente. Em 2025, o tamanho do mercado global de dispositivos de energia SiC é de aproximadamente RMB 40,691 bilhões. As instituições prevêem uma taxa composta de crescimento de 20,5% de 2026 a 2032, com o tamanho do mercado atingindo 147,968 bilhões de RMB até 2032. A Open Source Securities prevê que o tamanho do mercado global de SiC atingirá US$ 12,4 bilhões até 2030, com a infraestrutura de IA contribuindo com quase metade da nova demanda, quebrando a estrutura de crescimento anterior que dependia exclusivamente de novos veículos energéticos.
Do ponto de vista da estrutura da procura, os novos veículos energéticos representam atualmente aproximadamente 61% da receita dos dispositivos SiC e são o maior mercado de aplicações. O aumento na penetração de modelos de plataforma de alta tensão de 800 V aumenta diretamente o conteúdo de SiC por veículo; Fontes de alimentação de servidores de IA e carregamento de armazenamento fotovoltaico são a segunda curva de crescimento. No passado, o mercado geralmente definia o SiC como um material para os novos trilhos de veículos energéticos. A lógica atual da indústria foi atualizada para o modelo de três motoristas de "novos veículos de energia + poder de computação de IA + novo armazenamento de energia".
2.2 Padrão de oferta-demanda: compensação profunda em 2025, escassez estrutural em 2026
De 2021 a 2024, grandes quantidades de capital nacional foram investidas na pista do SiC e um grande número de projetos de substrato de 6 polegadas foram lançados de forma concentrada. A capacidade da indústria expandiu-se rapidamente. Combinado com a procura periódica aquém das expectativas na indústria de veículos com novas energias em 2025, a indústria entrou em ferozes guerras de preços. Os preços dos substratos de baixo custo e dos dispositivos de uso geral caíram drasticamente, muitos fabricantes de pequeno e médio porte sofreram perdas e a indústria entrou em um ciclo de eliminação de capacidade. A utilização da capacidade de baixo custo diminuiu significativamente e alguns fabricantes saíram do mercado.
A partir do quarto trimestre de 2025, o padrão de oferta e procura inverteu-se, mas não se tratou de uma escassez abrangente de oferta, mas sim de uma escassez estrutural: (1) A oferta de substratos condutores de alta qualidade, epitaxia e módulos MOSFET de qualidade automóvel e de potência de IA é escassa. A utilização da capacidade dos principais fabricantes de substratos recuperou-se para mais de 90%, os preços dos substratos de 6 polegadas atingiram o nível mínimo e recuperaram, e os preços dos substratos de 8 polegadas pararam de cair e subiram; Os fabricantes estrangeiros de IDM Infineon e STMicroelectronics, bem como empresas nacionais como a Yangjie Technology, aumentaram sucessivamente as cotações dos dispositivos. Os prazos de entrega de dispositivos SiC para fontes de alimentação de servidores de IA aumentaram para aproximadamente 30 semanas, com preços subindo mais de 15% em comparação com o final de 2025. (2) O fornecimento de substratos de baixo custo com baixos indicadores de defeitos que não podem passar na certificação de nível automotivo e dispositivos industriais com especificações de uso geral permanecem excessivos, e os preços continuam sob pressão.
O principal resultado desta ronda de remodelação da indústria: a concorrência na indústria passou de uma simples competição em escala de capacidade para uma competição abrangente de capacidade em rendimento, controlo de defeitos, certificação de classe automóvel, entrega estável e controlo de custos. A concentração da indústria continua a aumentar e as principais empresas beneficiam.
2.3 Cenário Competitivo Global
Os gigantes estrangeiros tradicionais têm vantagens de serem pioneiros e adotam principalmente o modelo IDM: Wolfspeed (Estados Unidos, anteriormente Cree), ROHM (Japão), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) e onsemi. Os fabricantes estrangeiros acumulam profundamente patentes de substratos, certificação de clientes de nível automotivo, processos de dispositivos e embalagens de módulos, e há muito ocupam a maior parte do mercado global de dispositivos de energia.
As empresas nacionais alcançaram grandes avanços no segmento de substratos. Em 2025, as empresas nacionais alcançaram liderança global no campo de substratos condutores. A participação de mercado global da Tianyue Advanced em substratos de SiC de 8 polegadas excedeu 50% e sua participação global em substratos condutores de 6 polegadas ficou em primeiro lugar. A Tianyue Advanced e a Tianke Heda juntas detêm uma participação de mercado de substrato condutivo superior à da Wolfspeed. O fornecimento de substrato de SiC da China representa aproximadamente 50% do total global e entrou no primeiro nível global. Os segmentos domésticos de epitaxia, dispositivos e módulos ainda estão em fase de atualização. Os fabricantes de dispositivos nacionais ainda estão atrás dos líderes estrangeiros em certificação de nível automotivo, confiabilidade e capacidade estável de entrega em lote. Os cinco principais fabricantes do mercado nacional de dispositivos de energia ocupam juntos 70,4% de participação de mercado, sendo os três principais empresas estrangeiras, enquanto os fabricantes nacionais ainda têm uma participação de mercado relativamente baixa.
Empresas representativas de cada segmento da cadeia industrial nacional: (1) Substratos: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaxia: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Dispositivos/Módulos: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Equipamento upstream: Jingsheng Mechanical & Electrical (fornos de crescimento de cristal), Jingsheng Equipment, AMEC (equipamento de epitaxia MOCVD).
2.4 Ambiente de Política Interna
Como um caminho-chave para semicondutores de terceira geração e novas forças produtivas de qualidade, o carboneto de silício pertence à direção estratégica da autonomia e controlabilidade dos semicondutores domésticos. O "14º Plano Quinquenal" e o "15º Plano Quinquenal" nacionais continuam a apoiar a industrialização de materiais e dispositivos semicondutores de terceira geração, e muitas localidades estabeleceram fundos industriais especiais para fornecer subsídios para a construção de linhas de produção, investimento em P&D e projetos de industrialização. Ao mesmo tempo, as políticas industriais nacionais para novos veículos energéticos, armazenamento de energia fotovoltaica e infra-estruturas informáticas impulsionam indirectamente a procura de SiC a jusante. Os dividendos políticos aceleram a verificação e introdução de cadeias de abastecimento nacionais, mas os subsídios à indústria estão gradualmente a passar de subsídios de capacidade para indicadores de alta qualidade, como I&D, melhoria de rendimento e certificação de qualidade automóvel.
III. Análise de demanda downstream: três principais caminhos impulsionadores, lógica de crescimento reestruturada
3.1 Veículos de Novas Energias: Base Fundamental da Indústria, Plataformas de 800V Aumentam o Valor por Veículo
Os novos veículos energéticos continuam a ser a maior fonte de procura de SiC. As plataformas tradicionais de 400 V são dominadas por IGBTs baseados em silício; As plataformas de alta tensão de 800 V têm vantagens como carregamento rápido, redução de peso e alcance aprimorado, e os MOSFETs de SiC se tornaram a solução principal. Dispositivos SiC são usados em componentes como o inversor principal, OBC integrado, DC-DC e carregador integrado, e o valor de SiC por veículo é significativamente maior do que o de soluções baseadas em silício de 400V.
As principais montadoras globais, como Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen e Mercedes-Benz, continuam a introduzir soluções de SiC em modelos de última geração. À medida que os modelos de plataforma de 800 V se transformam em modelos de gama média, a penetração do SiC continuará a aumentar. No curto prazo, a nova indústria de veículos energéticos enfrenta pressão de flutuação nas vendas, mas a tendência de eletrificação a médio e longo prazo é certa. A crescente penetração de plataformas de 800 V é uma linha principal de tecnologia que impulsiona continuamente a demanda por dispositivos SiC.
3.2 Fontes de alimentação para data centers de IA: segunda curva de crescimento, remodelando o teto da indústria
Clusters de computação de grandes modelos de IA exigem enormes fontes de alimentação de servidores, e a atualização das arquiteturas de fontes de alimentação de alta tensão de servidores de IA cria uma demanda substancial de SiC. As fontes de alimentação de servidores tradicionais são dominadas por dispositivos baseados em silício. Fontes de alimentação AI de alta potência e alta densidade impõem requisitos mais elevados em perdas, dissipação de calor e densidade de potência. Os dispositivos SiC podem reduzir significativamente as perdas na fonte de alimentação, reduzir o volume da fonte de alimentação e diminuir a pressão de dissipação de calor. A Open Source Securities prevê que, até 2030, a infraestrutura de IA contribuirá com quase metade da demanda do mercado de SiC, tornando-se a fonte incremental mais importante da indústria.
Direção de fronteira: SiC como substrato de alta condutividade térmica para empacotamento avançado CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), usado para dissipação de calor de HBM (High Bandwidth Memory) que suporta chips de computação. Se a industrialização for concretizada, o SiC passará de um material para dispositivos de energia a um material funcional para embalagens avançadas, aumentando enormemente o valor por chip e abrindo um espaço de mercado inteiramente novo. No entanto, essa direção ainda está em fase de verificação da amostra do cliente e a industrialização traz incertezas.
3.3 Armazenamento de energia fotovoltaica, indústria e trânsito ferroviário: incremento estável
As instalações globais de armazenamento fotovoltaico e de energia continuam a crescer. Inversores centralizados, inversores string e PCS de armazenamento de energia estão gradualmente iterando de soluções baseadas em silício para soluções de SiC, melhorando a densidade de potência do inversor e a eficiência de conversão. Motores industriais, fontes de alimentação de alta tensão, trânsito ferroviário e transmissão de rede de alta tensão são demandas estáveis de médio e longo prazo caracterizadas por longos ciclos de certificação, pedidos estáveis e longos ciclos de vida, com requisitos extremamente elevados para a confiabilidade do dispositivo.
4. Caminho de Iteração Tecnológica e Previsão de Desenvolvimento de Médio e Longo Prazo
4.1 Curto Prazo (2026-2028): Implementação de 8 Polegadas em Grande Escala, Melhoria de Rendimento + Redução de Custos, Certificação Acelerada de Nível Automotivo
Nos próximos 2 a 3 anos, a principal linha da indústria será a otimização da capacidade de 6 polegadas e o aumento em larga escala das linhas de produção de substrato, epitaxia e dispositivos de 8 polegadas. . 8 polegadas é o tamanho principal da indústria para os próximos 3 a 5 anos. Os principais fabricantes nacionais de substratos continuarão a expandir as linhas de produção de 8 polegadas para reduzir o custo por wafer.
A contradição central na indústria mudou de “se há capacidade” para “melhoria de rendimento, controle de defeitos e obtenção de designações de clientes de nível automotivo”. Um grande número de empresas de dispositivos nacionais está acelerando a AEC-Q100 certificação de nível automotivo para fabricantes de automóveis, armazenamento de energia e clientes de fornecimento de energia de IA. À medida que o rendimento continua a melhorar, os custos unitários dos dispositivos de SiC continuam a diminuir, impulsionando a penetração do SiC de modelos topo de gama para modelos de gama média e de fontes de alimentação topo de gama para fontes de alimentação industriais em geral.
Lado da oferta: após a eliminação da capacidade em 2025, o ritmo de expansão de nova capacidade abranda e o ritmo de libertação de nova capacidade é inferior ao crescimento da procura. Os produtos automotivos de alta qualidade mantêm um padrão rígido e a indústria entra em um ciclo de aumento de volume e preços; substratos de baixo custo e dispositivos de uso geral continuam a enfrentar a concorrência, e os pequenos e médios fabricantes que carecem de rendimento e certificação de cliente continuam a ser eliminados, aumentando ainda mais a concentração da indústria.
4.2 Médio prazo (2029-2032): 8 polegadas tornam-se o mainstream absoluto, começa a industrialização de 12 polegadas, a substituição doméstica entra na zona de águas profundas
O rendimento das linhas de produção de 8 polegadas continua a ser otimizado, os custos caem significativamente e a penetração do SiC em novos veículos de energia, armazenamento de energia e fontes de alimentação de IA aumenta substancialmente. O segmento de substrato doméstico mantém a competitividade global; a substituição doméstica nos segmentos de epitaxia, dispositivos e módulos acelera, e os fabricantes nacionais de IDM entram gradualmente nas cadeias de fornecimento dos principais fabricantes de automóveis e fabricantes de fontes de alimentação de computação no exterior.
Substratos de SiC de 12 polegadas entram na fase de verificação de industrialização. Empresas como a Tianyue Advanced já enviaram amostras de produtos de 12 polegadas, visando substratos avançados de dissipação de calor de embalagens e cenários de dispositivos de ultra-alta potência. . 12 polegadas dilui ainda mais o custo por wafer, mas o investimento em equipamentos e a dificuldade do processo são maiores, e o ritmo de industrialização é mais lento do que o de 8 polegadas.
O mercado global expande-se rapidamente e a percentagem de contribuição incremental das fontes de alimentação de computação de IA continua a aumentar. O crescimento do mercado de SiC não depende mais inteiramente das novas flutuações do ciclo dos veículos de energia, e vários cenários a jusante protegem o risco do ciclo de uma única indústria.
4.3 Longo prazo (após 2032): a tecnologia amadurece, os custos caem acentuadamente, entrando na fase de popularização em grande escala
Os custos dos dispositivos de SiC continuam a diminuir, substituindo gradualmente os dispositivos de energia baseados em silício em cenários de média e baixa tensão, com cenários de aplicação expandindo-se para eletrodomésticos e fontes de alimentação de consumo.. 12-Os substratos de SiC em polegadas alcançam produção em massa em grande escala. O cenário da cadeia industrial global tende à estabilidade, e a China forma um ecossistema industrial de SiC completo e controlável de forma autônoma, com competitividade global em toda a cadeia, desde substratos, equipamentos, epitaxia e chips até módulos. Ao mesmo tempo, existe concorrência potencial nas rotas tecnológicas. Materiais de banda larga de nova geração, como o óxido de gálio (Ga₂O₃), representam ameaças potenciais de substituição em cenários específicos de alta tensão, mas, a médio e longo prazo, é improvável que derrubem a posição dominante do SiC em semicondutores de potência.
V. Lógica de investimento e seleção de trilhas (perspectiva de investimento na indústria/capital)
A trilha SiC é uma trilha de verificação que exige muito capital, tecnologia e ciclo longo. O investimento não pode simplesmente olhar para a escala de capacidade; o núcleo está no rendimento, nos indicadores de defeitos, na certificação do cliente, no fluxo de caixa e na curva de custos. Após a remodelação da indústria em 2025, a lógica de investimento mudou de “expansão de capacidade” para “barreiras técnicas + barreiras de clientes”.
5.1 Análise de Prioridades de Investimento por Segmento da Cadeia Industrial
1. Segmento de Substrato Upstream: Priorizar Empresas de Substrato Condutivo de Alto Rendimento de Nível Automotivo
Os substratos são o segmento com maior valor e barreiras mais fortes em toda a cadeia industrial, e o único segmento em que a China alcançou a liderança global. Indicadores principais de investimento: rendimento de substrato condutivo, densidade de defeitos de microtubos, capacidade de produção em massa de 8 polegadas, certificação do cliente e capacidade interna de equipamento de crescimento de cristal. As empresas de substrato que só podem produzir produtos com baixos indicadores de defeitos e não podem entrar nas cadeias de abastecimento da indústria automóvel têm uma rentabilidade fraca a longo prazo e são alvos de alto risco. Os equipamentos upstream de crescimento de cristais, corte, retificação e polimento oferecem oportunidades de substituição doméstica, e os fabricantes de equipamentos se beneficiam da expansão contínua das linhas de produção de substratos nacionais.
2. Segmento Epitaxy: Foco em empresas Epitaxy com fornecimento de lote estável e compatibilidade com MOSFETs de nível automotivo
A qualidade da epitaxia determina diretamente a confiabilidade do dispositivo, e a epitaxia de nível automotivo tem altas barreiras técnicas. As plantas Epitaxy precisam de colaboração profunda com plantas de substrato e plantas de dispositivos. Empresas com espessura de camada epitaxial estável e capacidade de controle de dopagem têm valor a longo prazo.
3. Dispositivos intermediários e módulos de energia: foco em designações de nível automotivo, verificação de confiabilidade e recursos de embalagem
O segmento de dispositivos tem o fosso mais profundo para gigantes estrangeiros, com longos ciclos de certificação (a certificação das montadoras geralmente leva de 2 a 3 anos). O investimento deve priorizar empresas que já obtiveram designações dos principais fabricantes de automóveis, fornecedores de energia de IA e clientes de armazenamento de energia e possuem certificação AEC-Q100; o empacotamento do módulo de potência é um ponto fraco doméstico, e processos de empacotamento de alta confiabilidade e tecnologias avançadas de empacotamento, como sinterização de prata, oferecem oportunidades de investimento. Empresas sem fábrica com design puro e sem linhas de produção proprietárias enfrentam riscos de fornecimento de substrato e flutuações de processo.
4. Final da aplicação downstream: foco em empresas de fornecimento de energia e controle eletrônico com recursos de design de sistema de solução SiC
O valor dos fabricantes de sistemas não está apenas na compra de dispositivos, mas também na posse de aplicativos de sistema, dissipação de calor e recursos de algoritmo de controle para dispositivos de SiC, o que pode maximizar as vantagens de eficiência do SiC. Priorize empresas líderes em controle eletrônico de 800 V, fontes de alimentação de servidores de IA e PCS de armazenamento de energia.
5.2 Estratégias de Investimento
Primary equity investment: Prioritize layout in high-barrier segments such as substrates, upstream equipment, automotive-grade epitaxy, and power modules; avoid low-end substrate projects that rely only on low prices and low yields. Prioritize enterprises that have completed sample delivery and designation verification with leading customers and have sustained R&D investment; be cautious about projects that have not yet entered customer verification and remain only at the sample stage.
Investimento industrial: Adequado para integração vertical da cadeia industrial. Os fabricantes de automóveis, as empresas de armazenamento de energia e de fornecimento de energia para computação podem bloquear a capacidade de substrato e epitaxia a montante para garantir a segurança da cadeia de abastecimento e proteger-se contra riscos de perturbação da cadeia de abastecimento no estrangeiro.
Foco na avaliação: A indústria está num ciclo de expansão e as empresas geralmente têm despesas de capital iniciais elevadas e rentabilidade lenta. A avaliação do PE não pode ser usada de forma simplista; concentre-se no acompanhamento do progresso do aumento do rendimento, custo unitário do wafer, pedidos de designação de clientes, utilização da capacidade e fluxo de caixa.
VI. Avisos de risco central da indústria
6.1 Risk of Downstream Demand Falling Short of Expectations
Se as vendas de veículos de energia nova e a penetração do modelo 800V ficarem abaixo das expectativas, a demanda por SiC será diretamente prejudicada; se as despesas de capital do servidor de IA se contraírem temporariamente, o crescimento da demanda pelo fornecimento de energia de IA diminuirá. A procura da indústria de SiC está profundamente ligada às duas principais indústrias cíclicas com grandes despesas de capital, de nova energia e poder de computação, e existe um risco de flutuação cíclica.
6.2 Tecnologia e Risco de Rendimento
O crescimento de cristais de SiC e os processos de epitaxia são difíceis. O progresso na melhoria do rendimento que ficar aquém das expectativas continuará a aumentar os custos; a dificuldade de aceleração das linhas de produção de grande porte de 8 e 12 polegadas pode ser maior do que o esperado; avanços tecnológicos em outros materiais de banda larga, como o óxido de gálio, podem criar risco de substituição.
6.3 Risco de Concorrência de Preços e Deterioração de Lucros
Embora os produtos para automóveis estejam actualmente em escassez estrutural, se um grande número de substratos de 8 polegadas forem colocados em produção de forma concentrada nos próximos 2-3 anos, a indústria poderá novamente entrar em excesso de oferta, desencadeando uma nova ronda de guerras de preços, comprimindo as margens brutas das empresas e fazendo com que muitas empresas continuem a ser deficitárias. As despesas de capital da indústria são enormes e a pressão de depreciação é elevada; mesmo com o crescimento das receitas, as empresas poderão continuar a registar prejuízos durante muito tempo.
6.4 Risco de Patentes e Comércio Internacional
Os líderes estrangeiros detêm um grande número de patentes essenciais para substratos e dispositivos de SiC, e as empresas nacionais enfrentam risco de litígio de patentes; Os controlos à exportação de semicondutores e as barreiras ao comércio externo afectam a expansão das empresas nacionais para clientes estrangeiros e as importações de equipamentos e materiais.
6.5 Risco de Certificação
Os ciclos de certificação para dispositivos automotivos e industriais são longos. Depois de investir fundos substanciais em P&D, a falha na certificação do cliente ou o atraso nas designações afetarão diretamente a comercialização do projeto.
VII. Conclusão
Como componente central dos semicondutores compostos de terceira geração, o carboneto de silício (SiC) sofreu uma eliminação brutal de capacidade em 2025 e inaugura um ponto de inflexão de prosperidade estrutural. A lógica de crescimento passou de um único veículo de energia nova para a ressonância multipista de novos veículos de energia + fontes de alimentação de computação de IA + armazenamento de energia fotovoltaica. No curto prazo, a indústria apresenta uma diferenciação estrutural entre oferta e procura: há escassez de produtos automóveis de alta qualidade, enquanto os produtos de gama baixa continuam a sofrer intensa concorrência; a médio e longo prazo, a redução de custos em grande escala de 8 polegadas e a substituição doméstica são as linhas principais, e as fontes de alimentação de computação de IA abrem o teto de crescimento a longo prazo da indústria.
A cadeia industrial da China alcançou avanços globais no segmento de substratos, enquanto os segmentos de epitaxia, dispositivos e módulos continuam a recuperar o atraso, mas a certificação, o rendimento, o custo e as patentes de nível automóvel continuam a ser deficiências fundamentais. Ao nível do investimento, o espaço de crescimento a longo prazo da via é certo, mas a indústria é uma via de elevado gasto de capital, longo ciclo de verificação e não é adequada para simplesmente perseguir conceitos de capacidade. Critérios fundamentais para a triagem de metas de investimento: alto rendimento, indicadores de baixo defeito, designações de clientes líderes, implementação de certificação de nível automotivo e uma curva de custos controlável. Priorize o layout em segmentos de alta barreira, como substratos upstream, equipamentos de crescimento de cristais, epitaxia de nível automotivo e módulos de energia, e evite projetos sem clientes principais, com baixo rendimento e dependendo apenas da escala de capacidade. Ao mesmo tempo, é necessário acompanhar continuamente variáveis-chave, tais como vendas de veículos de energia nova, despesas de capital em IA, aumento do rendimento de 8 polegadas e políticas comerciais e de patentes no exterior, para evitar flutuações cíclicas e riscos de industrialização ficar aquém das expectativas.